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Uma parceria entre a Toshiba e a SanDisk, dois grandes players mundiais no segmento dos produtos tecnológicos, resultou em mais um avanço no sentido de reduzir o tamanho dos componentes de armazenamento de dados. As marcas anunciam que entraram no fabrico de chips de memória de 19 nanómetros.
O primeiro produto a ser desenvolvido sobre o processo de 19nm será uma memória flash de 64Gbit (8GB) - multi-level cell (2-bits-por-célula), com alto volume de produção previsto para o segundo semestre de 2011. A SanDisk também irá fabricar chips do tipo 3-bits por célula, recorrendo à tecnologia de 19nm, de acordo com um comunicado à imprensa.
As empresas afirmaram que o processo permitiria aos fabricantes de equipamentos obter mais armazenamento em menos espaço. Os chips de 19nm NAND irão utilizar a tecnologia DDR2.0 de forma a aumentar a velocidade de transferência dos dados, juntamente com a utilização de uma arquitectura All-Bit Line com algoritmos de programação proprietários, de gestão multinível de armazenamento de dados que supostamente aumentam o desempenho e fiabilidade.
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